全球首條 35 微米超薄晶圓產線投產，功率半導體打破壟斷

全球首條 35 微米超薄晶圓產線投產，功率半導體打破壟斷
2026年03月09日 16:25 AI文體通
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2026 年 3 月 5 日，上海建成投產全球首條 35 微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試一體化產線，核心裝備實現自主可控，徹底打破國外技術壟斷。該產線將晶圓厚度誤差控制在 ±1.5 微米內，碎片率低于 0.1%，大幅提升高端功率芯片的性能與可靠性。

功率半導體是新能源汽車、工業電機、光伏逆變器等領域的核心部件，超薄晶圓技術能夠顯著降低芯片導通損耗，提升散熱效率。此前，35 微米以下超薄晶圓工藝長期被海外企業掌控，國內高端功率芯片依賴進口。此次產線投產，使我國在功率半導體核心工藝領域實現 “從 0 到 1” 的突破。

產線建設過程中，國內設備廠商與科研機構協同攻關，完成了超薄晶圓切割、研磨、封裝等核心裝備的國產化替代。據測算，該產線投產后，將使國內高端功率芯片的產能提升 40%，成本降低 25% 以上。隨著新能源汽車與可再生能源產業的快速發展，功率半導體市場需求持續增長，此次突破將為我國制造業升級提供核心支撐。

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